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化学机械抛光机CMP
详情介绍v 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8
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详情介绍
● 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆
● 系统功能：手动上下片，程序自动进行抛光，配有终点监测装置，配置半自动loading & unloading托盘系统，8寸规格，方便8寸晶圆上下片
● 抛光数据监测：具有摩擦力监测功能
● 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度
● 抛光盘直径≥20inch(508mm) 转速范围：30-200rpm
● 抛光头wafer加压方式：气囊加压，带有背压功能
● wafer压力控制范围：70-500g/cm2
● 保持环压力控制范围：70-700g/cm2
● 抛光头转速范围：30-200rpm 摆动幅度：±10mm
● 抛光液供应系统：3个可调流量蠕动泵供液，3路独立的抛光液通道，滴液位置可调
● 配置摩擦力&温度终点监控系统：含专用监测软件，带有End point detection功能
● 控制系统：PC工控机控制，触摸屏操作，可存储20个加工程序，加工程序最多可设6个不同加工阶段
● 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)
片内非均匀性WIWNU≤5%
片间非均匀性WTWNU≤5%