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离子注入机

详情介绍;单价离子最大加速能量≥200keV,并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围;可用于2、3、4、6、

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单价离子最大加速能量≥200keV,并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围

可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片

可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子

注入剂量精准度≤1.5%

离子注入剂量范围:1×1011 at/cm2~1×1016 at/cm2

离子源部分:离子源、离子源气体系统和离子源引出系统

离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer,温度达700℃,实现固态源的离子注入

离子注入倾斜角度在0°和7°

室温台:0°和7°;高温台:0°

束流调整系统主要包括:质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器

真空系统主要包括:Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元

真空度:

Ion Source真空度:≤7×10-4Pa

Beam Line真空度:≤7×10-5Pa

End Station真空度:≤7×10-5Pa