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● 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机
● 高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米
● 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸
● 经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟
● 设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻
● 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机
● 高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米
● 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸
● 经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟
● 设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻