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Plasma Etching Cluster 多腔等离子体刻蚀系统
PlasmaEtchingCluster多腔等离子体刻蚀系统分享详情介绍;方案是适用于最大;吋晶圆的
产品详情
Plasma Etching Cluster 多腔等离子体刻蚀系统
详情介绍
● 方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统
● 系统可用于研发和小批量生产
● 系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空
● 系统包括：
一个六端口的转接腔、带机械手。
六个端口分别连接：
（1）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：专用于刻蚀铌酸锂
（2）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去等
（3）一个 RIE 刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等
（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样
（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样
（6）一个端口备用，未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块