设备功能简介

激光分子束外延设备，面向复杂氧化物与量子材料外延生长。配备准分子脉冲激光源与超高真空生长腔，可精确保持靶材化学计量比，实现高熔点、多组分化合物薄膜的原子级精度外延，是高温超导、多铁材料、钙钛矿光电器件研究的关键设备。

设备工作原理

激光分子束外延（LMBE）是在超高真空环境下，利用高功率脉冲激光聚焦轰击靶材表面，使靶材材料瞬间气化产生等离子体羽辉，等离子体中的原子、分子、离子团等以高能粒子束形式喷射到加热的衬底表面，经表面迁移、排列后外延生长成单晶薄膜。与传统MBE相比，LMBE特别适合制备高熔点、多组分化合物材料，能够精确保持靶材的化学计量比，实现复杂氧化物薄膜的高质量外延生长

设备应用场景

• 高温超导薄膜（YBCO等）外延生长与研究
• 铁电、压电、多铁性氧化物薄膜制备
• 透明导电氧化物（TCO）薄膜研究
• 钙钛矿太阳能电池材料薄膜制备
• 稀磁半导体、拓扑绝缘体等量子材料研究
• 固态电解质、阻变存储器等新型存储材料研究