- 深硅刻蚀机（DRIE）
功能简介：硅材料专用干法刻蚀设备，基于 Bosch 工艺实现高深宽比、高垂直度的硅三维微结构加工。
工作原理：采用 “钝化 - 刻蚀” 循环工艺，交替沉积聚合物保护层、通过离子轰击 + 化学反应定向刻蚀硅材料，循环迭代实现垂直深槽刻蚀。
应用场景：MEMS 器件、TSV 硅通孔、微流控芯片、功率半导体沟槽、硅基三维微结构制备。
- ICP 刻蚀机（感应耦合等离子体刻蚀机）
功能简介：高密度等离子体干法刻蚀设备，可独立调控等离子体密度与离子能量，兼顾高刻蚀速率与高精度各向异性刻蚀。
工作原理：感应线圈射频激发产生高密度等离子体，独立射频控制衬底偏压，以活性基团化学反应 + 离子物理轰击协同刻蚀，均匀性与选择比优异。
应用场景：半导体晶圆图形刻蚀、化合物半导体（GaN/GaAs）加工、光电子器件、纳米微纳结构、MEMS 精细刻蚀
- RIE 刻蚀机（反应离子刻蚀机）
功能简介：基础型干法刻蚀设备，结合物理轰击与化学反应，实现材料的各向异性图形化加工，工艺适配性广。
工作原理：射频电场激发反应气体形成等离子体，带电离子受电场加速垂直轰击衬底，是实现各向异性刻蚀的核心，配合活性基团与材料的化学反应完成定向刻蚀。
应用场景：半导体介质 / 金属层刻蚀、科研实验室微纳刻蚀加工
- PECVD 设备（等离子体增强化学气相沉积设备）
功能简介：低温型气相沉积设备，借助等离子体激活反应气源，在热敏衬底上沉积各类介质与功能薄膜。
工作原理：真空环境下射频激发反应气体产生等离子体，等离子体激活反应气体，大幅降低化学反应活化能，使气源在 100~400℃的低温下即可分解反应，在衬底表面沉积形成固态薄膜。
应用场景：半导体钝化 / 介质层、太阳能电池减反 / 钝化膜、显示面板薄膜封装、MEMS 绝缘 / 牺牲层制备。
