设备功能简介

高端干法刻蚀核心装备，采用等离子体激发与衬底偏压双独立射频架构，可独立调控等离子体密度与离子轰击能量，兼顾高刻蚀速率、高选择比与低衬底损伤，支持多材料的高精度各向异性刻蚀加工。

设备工作原理

顶部电感线圈通入射频电流，产生交变磁场并在腔内感应激发高密度等离子体；衬底台搭载独立偏压电源，精准控制离子轰击能量，实现密度与能量解耦调控；通过活性自由基的化学反应与离子定向物理轰击的协同作用，完成衬底材料的定向图形刻蚀。

设备应用场景

• 半导体晶圆：先进逻辑 / 存储芯片的硅基、金属层精细刻蚀，以及化合物半导体介质刻蚀
• 化合物半导体：GaN 射频器件、LED / 激光芯片的图形化加工
• MEMS 器件：微传感器、微执行器的高深宽比微结构刻蚀
• 科研领域：二维材料、纳米光子、微流控芯片的微纳结构制备