有掩膜光刻机

v   手动、半自动、全自动有掩膜光刻机

v   高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米

v   基片尺寸可满足4、6、8、12英寸

v   经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟

v   设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。