v FE-SEM获得的图像分辨率高，信息丰富，样品处理相对简单，并且它可以观察、测量并分析样品的细微结构，因此被广泛应用于纳米技术、半导体、电子器件、生命科学、材料等领域v 电子枪种类：冷场发射v 二次电子图象分辨率：0.6 nm@15kV；0.7nm@1kVv 放大倍数：20-2,000,000xv 加速电压：0.5-30kV

v 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能，是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜v TEM分辨率 (nm)：0.14v 加速电压：10 ～ 120kVv 倍率（TEM）：×10～1,500,000v 样品倾斜角：Tilt-X   ±70°(高倾斜样品杆)v 最多样品装填数：4

v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面，应用于：产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM相似，用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工，通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用：IC芯片电路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射电镜样品制备，材料鉴定v 液态金属离子源：分辨率3nm@30kv   120nm@1kvv 检测器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器）

v 测量模式：PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程：≤10 mmv 横向分辨率：0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率：<0.01 nmv 台阶高度重复性：<0.75%   <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度：122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围：0.05% to 100%v 样品尺寸：350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ；249 mm H 自动样品台v 最大样品重量：45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台：300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦：249(350 mm 不带自动台)v 光源：专利双LED光源v 物镜：Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X，10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器：0.55X，0.75X，1X，1.5X, 2X auto-sensing modules

v 测量功能：二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景：可选放大倍率，1 to 4mm FOVv 探针压力：使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力：使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um   可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台：手动X-Y平移：100mm (4英寸）机动X-Y平移：150mm (6 英寸)v 样品旋转台：手动，360° 旋转    机动，360°旋转 v 扫描长度范围：55mm(2英寸)v 每次扫描数据点：最多可达120.000数据点v 最大样品厚度：50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸：200mm(8英寸)v 台阶高度重现性：<4A，1sigma在1um台阶上v 垂直范围：1mm(0.039英寸)v  垂直分辨率：最大1A (6.55um垂直范围下)

v 智能X射线衍射仪SmartLab系列，可以广泛应用于各种材料结构分析的各个领域。可以分析的材料包括：金属材料、无机材料、复合材料、有机材料、纳米材料、超导材料。可以分析的材料状态包括：粉末样品、块状样品、薄膜样品、微区微量样品v 主要应用：Ø 粉末样品的物相定性与定量分析Ø 计算结晶化度、晶粒大小Ø 确定晶系、晶粒大小与畸变Ø Rietveld定量分析Ø 薄膜样品分析，包括薄膜物相、多层膜厚度、表面粗糙度，电荷密度Ø In-Plane装置可以同时测量样品垂直方向的结构及样品深度方向的结构Ø 小角散射与纳米材料粒径分布Ø 微区样品的分析

v Keysight B2912B 精密型源表模块（SMU）是一款 2 通道台式 SMU，外形紧凑，经济高效，能够同时输出和测量电压和电流。它能够以高准确度轻松测量电流与电压（I/V）。 4 象限输出和测量功能可以轻松执行 I/V 测量，无需配置多台仪器v 测量功能：Ø 配置支持双通道设置Ø 最小电源分辨率：10 fA / 100 nV，最小测量分辨率：10 fA / 100 nVØ 最大输出：210 V，3 A 直流 / 10.5 A 脉冲Ø 任意波形生成和数字化功能，间隔 10 μsv 主要特性：Ø 即具有测量功能，还具有 4 象限综合电源功能Ø 4.3 英寸彩色显示屏支持图形和数字显示模式Ø 应用软件让您可以轻松使用免费附送的 PC 版仪器控件Ø 具有高吞吐量，SCPI 命令支持传统 SMU 的命令集

v Keysight E5270B 精密型 IV 分析仪是能够对各种材料和器件实施电流－电压表征的完整解决方案，其具有卓越的电流测量性能，可测量最小 0.1 fA 的电流v 0.1 fA – 1 A 和 0.5 µV – 200 V 精准测量范围v 点测量和扫描测量功能v 脉冲点测量和扫描测量，最小脉宽达 500 µsv ASU（自动传感和开关单元）可以与 HRSMU 配合使用，提供 0.1 fA 的测量分辨率和 SMU/AUX 路径切换

v Keysight N5511A 相位噪声测试系统（PNTS）的量程最低达到 kl（-177 dBm/Hz），让您可以执行物理极限测量。 N5511A PNTS 可替代经典的 Keysight E5500 相位噪声测量系统v 测量能力：绝对或残余相位噪声、AM噪声、CW或脉冲载波、低电平杂散信号。提供单通道或双通道配置v 最大频率：50 kHz至3.0、26.5或40 GHz，或带外部混频器的110 GHzv 偏置频率范围：0.01Hz至160MHz。使用外部信号分析仪可获得更宽的偏移v 相位噪声灵敏度：-200 dBc/Hz（输入信号+23 dBm）