v FE-SEM获得的图像分辨率高，信息丰富，样品处理相对简单，并且它可以观察、测量并分析样品的细微结构，因此被广泛应用于纳米技术、半导体、电子器件、生命科学、材料等领域v 电子枪种类：冷场发射v 二次电子图象分辨率：0.6 nm@15kV；0.7nm@1kVv 放大倍数：20-2,000,000xv 加速电压：0.5-30kV

v 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能，是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜v TEM分辨率 (nm)：0.14v 加速电压：10 ～ 120kVv 倍率（TEM）：×10～1,500,000v 样品倾斜角：Tilt-X   ±70°(高倾斜样品杆)v 最多样品装填数：4

v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品表面，应用于：产生二次电子信号取得电子像，此功能与SEM相似，用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工，通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属，氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用：IC芯片电路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射电镜样品制备，材料鉴定v 液态金属离子源：分辨率3nm@30kv   120nm@1kvv 检测器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器）

v 测量模式：PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程：≤10 mmv 横向分辨率：0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率：<0.01 nmv 台阶高度重复性：<0.75%   <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度：122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围：0.05% to 100%v 样品尺寸：350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ；249 mm H 自动样品台v 最大样品重量：45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台：300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦：249(350 mm 不带自动台)v 光源：专利双LED光源v 物镜：Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X，10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器：0.55X，0.75X，1X，1.5X, 2X auto-sensing modules

v 测量功能：二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景：可选放大倍率，1 to 4mm FOVv 探针压力：使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力：使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um   可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台：手动X-Y平移：100mm (4英寸）机动X-Y平移：150mm (6 英寸)v 样品旋转台：手动，360° 旋转    机动，360°旋转 v 扫描长度范围：55mm(2英寸)v 每次扫描数据点：最多可达120.000数据点v 最大样品厚度：50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸：200mm(8英寸)v 台阶高度重现性：<4A，1sigma在1um台阶上v 垂直范围：1mm(0.039英寸)v  垂直分辨率：最大1A (6.55um垂直范围下)

v 智能X射线衍射仪SmartLab系列，可以广泛应用于各种材料结构分析的各个领域。可以分析的材料包括：金属材料、无机材料、复合材料、有机材料、纳米材料、超导材料。可以分析的材料状态包括：粉末样品、块状样品、薄膜样品、微区微量样品v 主要应用：Ø 粉末样品的物相定性与定量分析Ø 计算结晶化度、晶粒大小Ø 确定晶系、晶粒大小与畸变Ø Rietveld定量分析Ø 薄膜样品分析，包括薄膜物相、多层膜厚度、表面粗糙度，电荷密度Ø In-Plane装置可以同时测量样品垂直方向的结构及样品深度方向的结构Ø 小角散射与纳米材料粒径分布Ø 微区样品的分析

v 70 GHz 带宽v 2 个全带宽通道v 10 位 ADCv 所有通道都提供 256 GSa/s 采样率v 2 Gpts 存储器深度v 可升级至 110 GHzv 可选校准件提供原位自校准v 包括高速 SDA 和时钟恢复功能v 包括用户自定义的功能1 mm 连接器输入

v 逻辑分析仪配置：标配 68 通道、350 MHz 状态、12.5 GHz 计时缩放、2.5 GHz 计时、2 Mb 深存储器15 英寸（38.1 厘米）彩色触摸屏使您可以查看大量信号和总线，并在其中快速导航内置可拆卸固态硬盘、USB 3.0 端口和局域网端口，可以快速传输数据和存储大量数据1.4 GHz 触发序列发生器确保捕获高速事件v 计时分析（异步采样）：高达 2.5 GHz/5.0 GHz/10 GHz（全通道/半通道/四分之一通道）计时，能够以高分辨率捕获信号活动高达 128 Mb/256 Mb/512 Mb（全通道/半通道/四分之一通道）深存储器，支持识别间隔很长时间的问题和症状的根本原因12.5 GHz（80 ps）计时缩放和 256 K 存储器深度支持在高分辨率下分析触发事件v 状态分析（同步采样）：状态数据速率高达 1.4 Gb/s，状态时钟速率高达 700 MHz，支持高速数据捕获自动设置阈值/采样位置，实现对高速总线的准确测量     同时显示所有通道的眼图，使您可以快速发现问题信号

v 在宽广的阻抗范围内提供 0.65% 的基本准确度。可以选配材料测量选件以执行温度特征分析，并能够直接得到介电常数和导磁率读数，是表征和评测电子元器件、半导体器件和材料的理想方案v 3 种可升级的频率选件：1 MHz 至 500 MHz/1 GHz/3 GHzv ±0.65% 基本准确度和 120 mΩ 至 52 kΩ 阻抗范围v 测量参数：|Z|、|Y|、θ、R、X、G、B、L、C、D、Q、|Γ|、Γx、Γy、θΓ、Vac、Iac、Vdc1、Idc1（1. 需要选件 001）v 内置直流偏置（选件 001）：0 V 至 ±40 V，0 A 至 ±100 mAv 数据分析功能：等效电路分析、极限线测试v 介电/磁性材料测量（选件 002）：|εr|、εr'、εr''、tanδ(ε)、|μr|、μr'、μr''、tanδ(μ)v 提供温度特征测量（选件 007）和可靠的晶圆上测量（选件 010）v 提供温度特征分析功能，并能够直接得到介电常数和导磁率的读数v 探头台连接套件（选件 010）可以在高达 3 GHz 的频率范围内提供准确的晶圆上或微型元器件阻抗测量解决方案

v Keysight N6705C 直流电源分析仪可以更快向被测器件（DUT）输入直流电压和电流以及测量这些电压和电流，显著提高您的生产率。 N6705C 直流电源分析仪综合了多达四种先进仪器的功能――数字万用表（DMM）、示波器、任意波形发生器和数据记录仪v 安培计准确度：高达 0.025% + 8 nA，分辨率高达 18 位v 任意波形发生器功能：带宽高达 100 kHz，输出功率高达 500 Wv 数据记录仪功能：测量间隔为 20 µs 至 60 s，测量速度高达每秒 500 M 个读数v 示波器功能：可对电压和电流进行数字化转换，频率高达 200 kHz，512 kpts；分辨率高达 18 位v 电压表准确度：高达 0.025% + 50 µV；分辨率高达 18 位

v 功率分析仪能够测量功率参数，并能够实时显示四个通道的电压、电流和功率迹线，通过一台高速数字化仪显示瞬态、冲击电流和状态变化，在时域或频域中分析电压、电流和功率。v 3 Phase Analysis：是v 带宽：2.5 MHzv 基本精度（50/60 Hz）：0.05%v 最佳功率精度：0.1%v 通道数：4v 最大直接电流输入：2 A / 6 A Peakv 最大电压有效值：1000 V/2000 V Peakv 相位交流：3v 采样率：5 M Sa/s

v 作为现成的测量解决方案，PD1500A 可以对宽带隙半导体进行可靠且可重复的测量。 该平台不仅可以确保用户的安全性，还能够保护系统的测量硬件v 能够可靠、可重复测量宽带隙（SiC、GaN）功率半导体的动态特征v 测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征v 同时满足被测器件和用户对测试环境的要求v 模块化平台可扩展、可升级，能够对所有功率器件进行测试v 这种确保 DPT 结果可重复的能力依托于是德科技先进的专业测量技术， 例如在高频测试（GHz 级）、低泄漏（飞安级）和脉冲功率（1,500 A 电流、10 μs 分辨率）等方面的创新。 这些创新使是德科技占据独特优势，可以有力地帮助您克服在动态功率半导体表征方面的挑战v PD1500A 采用的均是标准的测量技术，例如探头补偿、偏置调整、偏移校正和共模噪声抑制。 这些技术已在创新的测量拓扑和版图中使用。 另外，我们专门为本系统开发了半自动校准例程（AutoCal），用于校正系统增益和偏置误差。 该系统还使用去嵌入技术来补偿分流器中的电感寄生效应