实验室及中试线解决方案服务商
国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业

19842703026
半导体前道工艺设备
半导体封装设备
半导体分析测试设备
半导体光电测试仪表
真空互联系统
翻新光刻机
晶圆键合及解键合设备
湿法设备
有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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键合机
键合机
v 键台工艺:金丝球焊和深腔模形焊v 超声系统:可通过软件在60kHz~100kHz间切换以适应不同的键台基板v 球焊金丝:17.5μm-50μmv 楔焊金/铝丝:17.5μm-75μmv 夹具尺寸直径80mm,满足尺寸大于φ1''或2cm×2cm的基片加工v 劈刀长度大于13mm,配备球焊与楔焊两种劈刀v 主机半自动工作模式,可实现键合流程的编程控制,显示屏显示,引线弧形包括标准矩形、倒转、缝合v 编程加热器:集成在设备内0-200℃
推拉力测试机
推拉力测试机
v 适用领域:大功率集成电路封装IGBT、电路制造、 材料研究、汽车电子等等,应用于常见的拉力和剪切力测试应用v 标配行程为150 x 150mm的XY操作平台v Auto-Range技术无需在测试前手动设置传感器量程v 根据不同的需求可搭配多种多样的测试模块,可支持最大剪切力值为1000KG的测试
贴片机
贴片机
v 适用领域:芯片贴装、芯片筛选、高精度倒装、MEMS封装、MOEMS封装、VCSEL器件组装、光电器件封装、超声工艺、热压超声工艺、RFID组装、传感器封装、共晶键合、点胶键合等,适用于研发、试产到规模生产v 标准配置芯片拾取系统可从12inch晶圆、华夫盘、黏胶盘等位置拾取芯片v XY贴装区域:700mm*500mm(自动,0.1μm分辨率)v XY晶圆台移动区域:305mm*305mm,支持2-12inch晶圆(自动,0.1μm分辨率)v Z移动:120mm(自动,0.1μm分辨率)v 吸片头旋转:±100°(自动,角度分辨率±0.02°)v 键合压力:标准15g-800g(可选15g-25000g)v 产能:2800片/小时v 贴装精度:2.5μm@3sigma
激光开封机
激光开封机
v 产品介绍:应用激光开封移除芯片塑封层,裸露绑定线和晶圆层v 激光功率:10W(20W/30W/50W可选)v 激光器寿命:≥100000hv 激光波长:1064nmv 激光视觉扫描范围:≤110*110mmv 最小线宽:≥0.035mmv 扫描速度:≤18000mm/sv 重复精度:±0.01mm
半导体烘箱
半导体烘箱
v 高性能无氧烘箱能够在氧气浓度低至500 ppm 的气氛中,加热高达 500℃ 的温度,并对材料进行热处理。非常适合各类退火,退应力,和各类抗氧化热处理v 含氧控制:500PPM以内v 温度范围:Room temp. +20~500℃v 控温精度:±1.0℃v 温度均匀性:±2.5%℃v 升温时间:RT~ 500℃≤60minv 容量:可定制
热拆键合机
热拆键合机
v 该系统是用于分离晶圆与载体(热拆键合)的FOWLP技术,通过释放热量将载体剥离v FOWLP优化热拆键合技术v 全自动脱胶v FOWLP晶圆翘曲控制和监测v FOWLP晶圆正面标记v 全自动翘曲矫正模式v 晶圆尺寸:300/330 mmv 温度控制:20~240℃ ±2℃v 装载和卸载:手动/全自动v 最大翘曲处理能力:输入翘曲:10 mm    矫正后的翘曲:<1 mmv 晶圆传输系统:三温无接触传输v ESD控制:带有自动反馈传感器的电离器
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扫描电镜SEM
扫描电镜SEM
v FE-SEM获得的图像分辨率高,信息丰富,样品处理相对简单,并且它可以观察、测量并分析样品的细微结构,因此被广泛应用于纳米技术、半导体、电子器件、生命科学、材料等领域v 电子枪种类:冷场发射v 二次电子图象分辨率:0.6 nm@15kV;0.7nm@1kVv 放大倍数:20-2,000,000xv 加速电压:0.5-30kV
透射电镜TEM
透射电镜TEM
v 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能,是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜v TEM分辨率 (nm):0.14v 加速电压:10 ~ 120kVv 倍率(TEM):×10~1,500,000v 样品倾斜角:Tilt-X   ±70°(高倾斜样品杆)v 最多样品装填数:4
聚焦离子束系统FIB
聚焦离子束系统FIB
v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面,应用于:产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM相似,用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工,通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用:IC芯片电路修改,Cross-Section 截面分析,FIB透射电镜样品制备,材料鉴定v 液态金属离子源:分辨率3nm@30kv   120nm@1kvv 检测器:Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、aBSD(背散射探测器)
光学轮廓仪
光学轮廓仪
v 测量模式:PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程:≤10 mmv 横向分辨率:0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率:<0.01 nmv 台阶高度重复性:<0.75%   <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度:122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围:0.05% to 100%v 样品尺寸:350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ;249 mm H 自动样品台v 最大样品重量:45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台:300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦:249(350 mm 不带自动台)v 光源:专利双LED光源v 物镜:Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X,10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器:0.55X,0.75X,1X,1.5X, 2X auto-sensing modules
探针式轮廓仪/台阶仪
探针式轮廓仪/台阶仪
v 测量功能:二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景:可选放大倍率,1 to 4mm FOVv 探针压力:使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力:使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um   可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台:手动X-Y平移:100mm (4英寸)机动X-Y平移:150mm (6 英寸)v 样品旋转台:手动,360° 旋转    机动,360°旋转 v 扫描长度范围:55mm(2英寸)v 每次扫描数据点:最多可达120.000数据点v 最大样品厚度:50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸:200mm(8英寸)v 台阶高度重现性:<4A,1sigma在1um台阶上v 垂直范围:1mm(0.039英寸)v  垂直分辨率:最大1A (6.55um垂直范围下)
X射线衍射仪XRD
X射线衍射仪XRD
v 智能X射线衍射仪SmartLab系列,可以广泛应用于各种材料结构分析的各个领域。可以分析的材料包括:金属材料、无机材料、复合材料、有机材料、纳米材料、超导材料。可以分析的材料状态包括:粉末样品、块状样品、薄膜样品、微区微量样品v 主要应用:Ø 粉末样品的物相定性与定量分析Ø 计算结晶化度、晶粒大小Ø 确定晶系、晶粒大小与畸变Ø Rietveld定量分析Ø 薄膜样品分析,包括薄膜物相、多层膜厚度、表面粗糙度,电荷密度Ø In-Plane装置可以同时测量样品垂直方向的结构及样品深度方向的结构Ø 小角散射与纳米材料粒径分布Ø 微区样品的分析
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任意波形发生器
任意波形发生器
v Keysight M8199A 任意波形发生器(AWG)拥有 4 个 128 GSa/s 采样率的通道,或 2 个 256 GSa/s 采样率的通道,标称模拟带宽高达 70 GHzv 这款先进的任意波形发生器与当今市场上的常见解决方案相比,采样率翻了一番,模拟带宽增加了 50%v 作为高性能任意波形信号源,M8199A 可帮助客户开发波特率高达 140 Gbaud 的设计,包括适用于 TB 级传输系统的先进元器件v 高达 70 GHz 分析带宽v 内置频率和相位响应校准,可以提供纯净的输出信号v 6 位有效位数(ENOB),直流至 50 GHz 频率范围,Fs 100 GSa/sv 固有抖动 < 75 fsv 连续采样率范围为 100 至 128 GSa/s(四通道)、200 至 256 GSa/s(双通道)
器件电流波形分析仪
器件电流波形分析仪
v CX3324A 是一款具有 14 位或 16 位分辨率的 4 通道主机。 其存储器深度和带宽可以分别升级至 256 MSa/s 和 200 MHz。支持数字通道 v 主机功能特性:Ø 为电流和差分传感器以及无源探头接口适配器提供 4 个模拟通道Ø 带宽选件:50 MHz、100 MHz、200 MHzØ 存储器深度选件:4 Mpts/通道、16 Mpts/通道、64 Mpts/通道、256 Mpts/通道Ø WXGA 14.1 英寸电容式多点触控屏v 测量功能:Ø 14 位或 16 位动态范围Ø 经过优化,能够采集低噪声电流传感器的输出Ø 1 GSa/s 采样率和 200 MHz 最大带宽Ø 提供常见的触发类型和数学函数
微波网络分析仪
微波网络分析仪
v 10 MHz 至 67 GHz,1 个信号源 2 端口和 2 个信号源 4 端口、信号源和接收机衰减器、偏置 T 型接头、脉冲发生器和调制器、噪声系数以及优秀的射频性能v 性能出众的微波网络分析仪帮助您应对更苛刻的测量挑战v 以超低不确定度和超高稳定度执行 S 参数测量v 利用应用软件简化设置,高效表征有源元器件v 多点触控屏和直观的用户界面帮助您加速洞察元器件特性v 通过定制化配置得到恰当的性能,同时兼顾您的预算和测量需求
矢量信号发生器
矢量信号发生器
v M9484C VXG 是是德科技第一款矢量信号发生器,在每个通道上提供 2.5 GHz 调制带宽,能够生成高达 54 GHz 的信号。 这款 VXG 矢量信号发生器可以组成经过校准和同步的全方位综合解决方案,帮助您更快测试下一代无线技术,例如 5G 和卫星通信v 覆盖从 9 kHz 到 54 GHz 的频率范围,还可通过 V3080A 扩频器进一步扩展到 110 GHzv 射频带宽:高达 2.5 GHzv 波形回放存储器:高达 4096 MSav 射频通道:1/2/4 通道
信号源分析仪
信号源分析仪
v 信号源分析仪:10 MHz 至 7 GHz、26.5 GHz 或 110 GHzv 信号源分析仪频率范围:Ø 射频输入频率范围:10 MHz 至 110 GHzØ 分析偏移频率范围:1 Hz 至 100 MHzØ 频率瞬态捕获范围:窄带时高达 80 MHz,宽带时高达 4.8 GHzv 信号源分析仪噪声测量功能:Ø 可进行相位噪声测量、AM 噪声测量和相位噪声测量Ø 可进行从 1 Hz 到 100 MHz 的基带噪声测量Ø 在实时模式下可提供高达 15 MHz 扫宽的频谱监测v 信号源分析仪分析功能:Ø 同时测量频率、相位和功率在不同时间的瞬态特征Ø 视频触发功能可用于捕获意外的频率变化Ø 出色的低噪声直流源(频率/功率/直流电源-电流与 Vc 和 Vs)支持全面的 VCO 表征Ø 能够进行飞秒级分辨率的时钟抖动测量
信号分析仪
信号分析仪
v 使用 N9042B UXA X 系列信号分析仪和各种测量应用软件,可以测试 5G、卫星、雷达等应用中的毫米波(mmWave)创新设计的真实性能v 具有卓越的误差矢量幅度(EVM),能够测试 5G NR 发射机的真实性能v 频率:2 Hz to 50 GHz, with V3050A 110 GHzv 1 GHz 时的 DANL:-174 dBmv 最大分析带宽:4 GHzv 1 GHz 时,10 kHz 频偏处的相位噪声:-135 dBc / Hz
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