实验室及中试线解决方案服务商
国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业

19842703026
半导体前道工艺设备
半导体封装设备
半导体分析测试设备
半导体光电测试仪表
真空互联系统
翻新光刻机
晶圆键合及解键合设备
湿法设备
有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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键合机
键合机
v 键台工艺:金丝球焊和深腔模形焊v 超声系统:可通过软件在60kHz~100kHz间切换以适应不同的键台基板v 球焊金丝:17.5μm-50μmv 楔焊金/铝丝:17.5μm-75μmv 夹具尺寸直径80mm,满足尺寸大于φ1''或2cm×2cm的基片加工v 劈刀长度大于13mm,配备球焊与楔焊两种劈刀v 主机半自动工作模式,可实现键合流程的编程控制,显示屏显示,引线弧形包括标准矩形、倒转、缝合v 编程加热器:集成在设备内0-200℃
推拉力测试机
推拉力测试机
v 适用领域:大功率集成电路封装IGBT、电路制造、 材料研究、汽车电子等等,应用于常见的拉力和剪切力测试应用v 标配行程为150 x 150mm的XY操作平台v Auto-Range技术无需在测试前手动设置传感器量程v 根据不同的需求可搭配多种多样的测试模块,可支持最大剪切力值为1000KG的测试
贴片机
贴片机
v 适用领域:芯片贴装、芯片筛选、高精度倒装、MEMS封装、MOEMS封装、VCSEL器件组装、光电器件封装、超声工艺、热压超声工艺、RFID组装、传感器封装、共晶键合、点胶键合等,适用于研发、试产到规模生产v 标准配置芯片拾取系统可从12inch晶圆、华夫盘、黏胶盘等位置拾取芯片v XY贴装区域:700mm*500mm(自动,0.1μm分辨率)v XY晶圆台移动区域:305mm*305mm,支持2-12inch晶圆(自动,0.1μm分辨率)v Z移动:120mm(自动,0.1μm分辨率)v 吸片头旋转:±100°(自动,角度分辨率±0.02°)v 键合压力:标准15g-800g(可选15g-25000g)v 产能:2800片/小时v 贴装精度:2.5μm@3sigma
激光开封机
激光开封机
v 产品介绍:应用激光开封移除芯片塑封层,裸露绑定线和晶圆层v 激光功率:10W(20W/30W/50W可选)v 激光器寿命:≥100000hv 激光波长:1064nmv 激光视觉扫描范围:≤110*110mmv 最小线宽:≥0.035mmv 扫描速度:≤18000mm/sv 重复精度:±0.01mm
半导体烘箱
半导体烘箱
v 高性能无氧烘箱能够在氧气浓度低至500 ppm 的气氛中,加热高达 500℃ 的温度,并对材料进行热处理。非常适合各类退火,退应力,和各类抗氧化热处理v 含氧控制:500PPM以内v 温度范围:Room temp. +20~500℃v 控温精度:±1.0℃v 温度均匀性:±2.5%℃v 升温时间:RT~ 500℃≤60minv 容量:可定制
热拆键合机
热拆键合机
v 该系统是用于分离晶圆与载体(热拆键合)的FOWLP技术,通过释放热量将载体剥离v FOWLP优化热拆键合技术v 全自动脱胶v FOWLP晶圆翘曲控制和监测v FOWLP晶圆正面标记v 全自动翘曲矫正模式v 晶圆尺寸:300/330 mmv 温度控制:20~240℃ ±2℃v 装载和卸载:手动/全自动v 最大翘曲处理能力:输入翘曲:10 mm    矫正后的翘曲:<1 mmv 晶圆传输系统:三温无接触传输v ESD控制:带有自动反馈传感器的电离器
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超景深显微镜
超景深显微镜
v 本套系统主要用于材料表面形貌的观察;平面或三维测量。可采用3D观测模式,对被测物形状,粗糙度,表面积等进行测量,可以做高度,宽度,横截面,角度,R值,表面积,体积,线粗糙度,面粗糙度等的测量分析。同时可以做材料断口、金相的观测,陶瓷,微流道,微加工,现代加工制造,MEMS研究,微纳制造等v 光源类型:≤404nm半导体激光v X/Y方向测量显示分辨率:1nmv Z向测量显示分辨率:0.5 nmv 面扫描速度:≥125Hz、线扫描速度:≥7900Hzv 角度特性:稳定测量倾角≥87.1度的斜面v XY载物台电动运行范围:≥100mm*100mm
工业显微镜
工业显微镜
v 支持通过光学显微镜或图像测量仪(如Nikon NEXIV),对直径为6英寸(150mm)和8英寸(200mm)的半导体晶圆的创新设计和材料进行全方位检测v 超强的半导体晶圆装载机系列,能够将直径为6英寸(150mm)和8英寸(200mm)的晶圆转移到厚度为100微米(工厂制造选项)的尼康Eclipse L200N和LV150N显微镜或NEXIV VMZ-S视频测量仪器上v NWL200系列与尼康NEXIV影像测量仪器集成在一起,可在半导体生产和检测过程中快速         提供全精度和准确度v 支持半导体晶圆前图案侧、后周边和中心区域检测。可自动或手动设置晶圆旋转速度和倾斜角度
立式高温试验箱
立式高温试验箱
v 满足各种产品、零部件及材料在高温恒温环境下贮存、运输、使用时间适应性试验要求。采用定值和程序两种控制。定值控制可进行自动开始结束设定,适合于生产线热处理干燥处理。程序控制可进行10个模式,每个模式20步的程序设定。满足有温度上升、下降斜率设定的温度特性试验
高低温(湿热) 试验箱
高低温(湿热) 试验箱
v 新型冷冻机的使用,实现了大范围、高精度的温湿度控制v 40 模式可编程控制器、具有多种语言选择、试验数据U 盘存储、故障追溯功能、试验箱发生故障之前的运行状态会被自动记录并保存
冷热冲击试验箱
冷热冲击试验箱
v 温度范围:周围环境温度+50 +200℃   -70~0℃   3温区v 高温曝露到+200℃:15分钟以内v 常温曝露:5分钟v 低温曝露:-65℃15分钟v 温度恢复时间:10分钟以内
深能级瞬态谱仪(DLTS)
深能级瞬态谱仪(DLTS)
v 脉冲发生器电压范围 ±100v,解析度0.3mVv 脉冲宽度 1us-1000sv 电容测量的高频信号 1M Hzv 电容补偿范围   1pF- 3300pFv HF–频率: 1M Hzv HF-信号: 100mVv 电容测试范围 2pF,20pF,200pF,2000pF,自动或手动v 电容测试灵敏度 0.01fFv 电流放大器最大测试电流: 15mAv 电流放大器电流分辨率 10pAv 数字瞬态记录器最大采样 64000点v 数字瞬态记录器采样间隔 2us-4sv 耦合方式提供28种耦合方式,包括Boxcar和Lock-in方式.一次变温即可得到28组曲线和数据点       v 单个温度点测试参数序列单温度点设置18种测试参数序列,无需重复变温即可得到不同测试参数
半导体参数测试仪
半导体参数测试仪
v 配备集成电脑及显示屏一体机箱,包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块,配合专用数据测量分析软件,无需外接其他仪表即可实现I-V曲线,I-t曲线,C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果v 电流测量精度≤0.1 fA,最小可测量电流≤20 fAv 最大电流测量量程≥0.1 A,最大输出功率≥2 Wv 电流测量精度10 fA时,电流表的最短采样时间间隔100 μsv I-V特性测试及C-V特性测试切换时,无须更改电路v 实现不同频率交流阻抗测量(C-V、C-f、C-t) 的测量,频率范围1 kHz-5 MHz,最小频率步进≤1 mHzv 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF(5 MHz)v 电容测量范围5 fF-1 nF,电压0至±25V,步进≤1 mVv 具有脉冲输出及采集模块,脉冲输出电压峰值10 Vv 脉冲采样最大采样率≥200 MSa/s,最小采样时间5 nsv 具有瞬态波形捕获模式v 具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
光波器件分析仪
光波器件分析仪
v 这款 LCA 是测试高达 67 GHz 的电光元器件的理想解决方案。它同样适用于测试 40G/100GbE、400Gbit/s 和 1 Tbit/s 相干传输系统、光纤无线电(RoF)以及航空航天与国防(A&D)电光测试应用中的电光元器件v 绝对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.9 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 相对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.5 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 本底噪声:v 在 67 GHz 时为 < - 59 dB(W/A)(电光测量)v 在 67 GHz 时为 < - 55 dB(A/W)(光电测量)具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
采样示波器
采样示波器
v Keysight N1000A DCA-X 宽带宽示波器可以对 50 Mb/s 到 224 Gb/s 的高速数字设计执行精准测量。 您还可以为 N1000A DCA-X 主机选配插入式模块,满足您对带宽、过滤和灵敏度的需求。v DCA-X 平台由主机和各种模块组成,可以执行灵活的测试v DCA-X 系列分析仪的一致性和灵活性可确保高精度的测量v 支持当前的模块,以及已经停产的旧款光、电和 TDR 模块,避免您的投资过时v 测试带宽 > 110 GHz,抖动最小为 50 fs,噪声最低为 275 uVv 采样率高达 250 kSa/s,支持最多 16 个通道,实现高测试吞吐量v 主机可选配插入式模块组成定制测试系统,执行精密的光、电和/或 TDR/TDT/S 参数分析
光波测量系统
光波测量系统
v Keysight 8164B 主机是用于光器件测试的一款基础平台,可以容纳一个是德科技可调谐激光源和最多 4 个紧凑型模块。 更新:用户现可通过 LAN 或 GPIB 接口进行远程编程v 1 个插槽用于安装可调谐激光源v 4 个插槽用于安装电源模块、回波损耗模块、紧凑型可调谐激光源或固定激光源v 内置应用软件:(无源元器件测试、稳定度、日志记录等功能)v 丰富的触发功能v 用于远程控制的 LAN 和 GPIB 接口
光调制分析仪
光调制分析仪
v 光调制分析仪支持多种先进调制方案,是 600 Gb/s 至 1.2 Tb/s 传输市场的理想选择v ADC分辨率:10位v 模拟带宽:70GHz(选项007);110GHz(选项011)v EVM噪声下限:在2.5 GHz频率偏移时<1.6%;频率偏移为10 GHz时为<2.9%v 最大可检测符号速率:140 Gbaud(选项007);220 Gbaud(选项011)v 最大记录长度:最大2 GSa。;200 MSa标准v 工作频率范围:直流至110 GHz(取决于范围选项)
高性能比特误码率测试仪
高性能比特误码率测试仪
v 高性能比特误码率测试仪覆盖所有类型的 400 GbE 标准测试,并且支持 PAM4 和 NRZ 信号以及高达 64 Gbaud 的数据速率v M8040A 高性能 BERT 的跳变时间更短,固有抖动更低,能够提供数据速率高达 64 GBaud 的纯净 NRZ 和 PAM4 信号。 M8040A 的远程前端和 1.85 mm 短电缆使测试点可以尽量接近被测器件,最大限度降低有损通道造成的信号衰减v 2 至 64 Gbaud 的 PAM4 信号数据速率v 真正的实时 PAM4 误码检测能力,数据速率高达 58 Gbaudv 内置去加重、分析仪均衡和时钟恢复功能v 整合和校准过的抖动注入:RJ、PJ1、PJ2、SJ、BUJ 和时钟/2 抖动v 每个模块有两个码型发生器通道,用于仿真干扰源通道v 8/16/32/64 GT/s PCI Express® 交互式链路训练和 SKP OS 过滤v 可以通过算法生成 PRBS、QPRBS 码型,也可以使用保存在存储器中的码型或是通过码型序列发生器生成的码型v 用于 PAM4、Gray 编码、FEC 编码、预编码器和误码分布分析v 所有选件和模块均可升级v 提供真正的误码分析功能,能够提供准确且可重复的测量结果,从而优化您的器件的性能裕量
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