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实验室及中试线解决方案服务商
国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业
19842703026
半导体前道工艺设备
半导体封装设备
半导体分析测试设备
半导体光电测试仪表
真空互联系统
翻新光刻机
晶圆键合及解键合设备
湿法设备
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h 束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm 微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm 最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h 束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm 微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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键合机
v 键台工艺:金丝球焊和深腔模形焊v 超声系统:可通过软件在60kHz~100kHz间切换以适应不同的键台基板v 球焊金丝:17.5μm-50μmv 楔焊金/铝丝:17.5μm-75μmv 夹具尺寸直径80mm,满足尺寸大于φ1''或2cm×2cm的基片加工v 劈刀长度大于13mm,配备球焊与楔焊两种劈刀v 主机半自动工作模式,可实现键合流程的编程控制,显示屏显示,引线弧形包括标准矩形、倒转、缝合v 编程加热器:集成在设备内0-200℃
推拉力测试机
v 适用领域:大功率集成电路封装IGBT、电路制造、 材料研究、汽车电子等等,应用于常见的拉力和剪切力测试应用v 标配行程为150 x 150mm的XY操作平台v Auto-Range技术无需在测试前手动设置传感器量程v 根据不同的需求可搭配多种多样的测试模块,可支持最大剪切力值为1000KG的测试
贴片机
v 适用领域:芯片贴装、芯片筛选、高精度倒装、MEMS封装、MOEMS封装、VCSEL器件组装、光电器件封装、超声工艺、热压超声工艺、RFID组装、传感器封装、共晶键合、点胶键合等,适用于研发、试产到规模生产v 标准配置芯片拾取系统可从12inch晶圆、华夫盘、黏胶盘等位置拾取芯片v XY贴装区域:700mm*500mm(自动,0.1μm分辨率)v XY晶圆台移动区域:305mm*305mm,支持2-12inch晶圆(自动,0.1μm分辨率)v Z移动:120mm(自动,0.1μm分辨率)v 吸片头旋转:±100°(自动,角度分辨率±0.02°)v 键合压力:标准15g-800g(可选15g-25000g)v 产能:2800片/小时v 贴装精度:2.5μm@3sigma
激光开封机
v 产品介绍:应用激光开封移除芯片塑封层,裸露绑定线和晶圆层v 激光功率:10W(20W/30W/50W可选)v 激光器寿命:≥100000hv 激光波长:1064nmv 激光视觉扫描范围:≤110*110mmv 最小线宽:≥0.035mmv 扫描速度:≤18000mm/sv 重复精度:±0.01mm
半导体烘箱
v 高性能无氧烘箱能够在氧气浓度低至500 ppm 的气氛中,加热高达 500℃ 的温度,并对材料进行热处理。非常适合各类退火,退应力,和各类抗氧化热处理v 含氧控制:500PPM以内v 温度范围:Room temp. +20~500℃v 控温精度:±1.0℃v 温度均匀性:±2.5%℃v 升温时间:RT~ 500℃≤60minv 容量:可定制
热拆键合机
v 该系统是用于分离晶圆与载体(热拆键合)的FOWLP技术,通过释放热量将载体剥离v FOWLP优化热拆键合技术v 全自动脱胶v FOWLP晶圆翘曲控制和监测v FOWLP晶圆正面标记v 全自动翘曲矫正模式v 晶圆尺寸:300/330 mmv 温度控制:20~240℃ ±2℃v 装载和卸载:手动/全自动v 最大翘曲处理能力:输入翘曲:10 mm 矫正后的翘曲:<1 mmv 晶圆传输系统:三温无接触传输v ESD控制:带有自动反馈传感器的电离器
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CT系统
v Comet Yxlon FF35 CT X射线系统是一种创新的多功能高分辨率 CT 系统,用于研发和质量保证领域。FF35 CT 符合 SEMI® 的严苛标准(包括 SEMI® S2-0818 和 SEMI® S8-0218 危险和安全标准)并通过了相应的认证v 应用行业: 汽车制造, 微电子, 航空航天, 科研开发, 铸造, 半导体, 增材制造v FF35 CT可检测哪些物体:Ø 电子器件,包括SMDØ 增材制造零件、纤维增强塑料Ø 电池电芯和模组Ø 注塑成型塑料Ø 微系统 (MEMS, MOEMS)Ø 医疗用品,例如插管Ø 轻合金铸件Ø 地质、古生物和生物样本v FF35 CT 用于哪些应用:质量保证、材料分析和研究、失效与结构分析、装配检查、小批量生产检验、过程控制、数字化、无损剖切v 缺陷尺寸: <1µm 缺陷, <50µm 缺陷, <1mm 缺陷, >1mm 缺陷v 样品尺寸: 小型, 中型, 大型v 射线源:v 运行模式: 3D, 2D/3D, 计量v 样品直径:530 [mm] (20.9")v 样品高度:800 [mm] (31.5")v 最大样品重量:27 [kg]v CT 模式:QuickScan®快速扫描, 质量扫描, 锥束 CT, 螺旋 CT, 虚拟旋转轴, 视场扩展,批量扫描v 单或双射线管配置,可最大限度提高实验室微焦点CT应用多功能性v 只需轻触一个按钮,即可在数秒内在 225 kV Micro-focus管和190 kV Nano-focus管之间自如切换v 花岗岩底座操控和温控,确保精确的结果v 通过Geminy软件平台进行各种CT轨迹和视场 (FoV) 扩展,应用灵活v 可选计量版本,测量精度可达 MPESD = 5.9 µm + L/75 [L in mm]
X-Ray
v X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子突然减速,其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后 其光强度的变化,产生的对比效果可形成影像,即可显示出待测物的内部结构,进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域v 检测内容:Ø 观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装 的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 Ø 观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 Ø 观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷v 样品尺寸:440 x 550 [mm] (17'' x 21'')v 最大投射面积:310 x 310 [mm] (12'' x 12'')v FeinFocusX射线管:FXT-160.50 微焦点 或 FXT-160.51 复合焦点, 20 - 160 kV 电压范围v 探测器有效面积:1004 x 620 px (Y.Panel 1308), 1004 x 1004 px (Y.Panel 1313), 1276 x 1276 px (ORYX 1616)v 像素间距:127 µmv 灰度:16 bitv 倾角范围:+/- 70° (140°)v 三维模式:平面层析扫描 (micro3Dslice), CT快速扫描, 质量扫描
探针台
v 探针台主要应用于晶圆、芯片、器件、封装等半导体制程测试环节v 样品尺寸:碎片~12英寸v 自动化:手动、半自动、全自动v 测试环境:高低温、磁场、真空v 探针台类型:分析探针台、直流、射频、高压、毫米波、太赫兹、硅光测量、芯片级测量、定制化等
霍尔效应测试仪
v 系统功能:用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念,允许轻松升级,该系统适用于各种材料,包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等v 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能,具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器,可扩展该系统温度范围从90K到500Kv 方块电阻量程:10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sqv 载流子浓度量程:106 ~ 1021 cm-3v 载流子迁移率量程:1 ~ 107 cmv 四个微调探针座,探针直接形成ohm接触,无需焊线或制作PCB板v 最大样品测量直径:25mm
智能型多功能椭偏仪
v Smart SE 是一款通用型薄膜测量工具。测试速度快,准确。它可以表征几埃到20µm薄膜厚度、光学常数(n, k)以及薄膜结构特性(如粗糙度、光学梯度及各向异性等)v 光谱范围:450nm to 1000nmv 光谱分辨率:优于3nmv 光源:卤素灯和蓝光LEDv 测试时间:小于1秒到10秒v 光斑尺寸:Ø 75µm * 150µm, 100µm * 250µm,Ø 100µm * 500µm, 150µm * 150µm,Ø 250µm * 250µm, 250µm * 500µm,Ø 500µm*500µmv 入射角:450 to 900 ,步径50v 样品尺寸:200mm以内v 样品准直:手动调整样品台高度(17mm以内)和倾角v 空气对射精度:Ψ=450±0.050 Δ=00±0.20v 厚度准确性:0.04%v 厚度重复性:±0.02%v 可选附件:Ø 全自动量角器,入射角度从450 到900可调,步径0.010Ø 可通过法兰耦合在反应腔实现在线监测Ø 冷热台,液体样品池和电化学反应池Ø 十字星自准直系统
高速高分辨显微共焦拉曼光谱仪
v 系统功能:快速获得详细的图像和分析,非常适合于微观和宏观测量,提供先进的二维和三维共聚焦成像能力。LabRAM Odyssey™具有高性能和直观的简易性,广泛用于标准拉曼分析、光致发光(PL)、 针尖增强拉曼光谱 (TERS) 和其他联用分析方法。通过简单的AFM 升级,从微米尺度转向纳米光学世界
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半导体参数测试仪
v 配备集成电脑及显示屏一体机箱,包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块,配合专用数据测量分析软件,无需外接其他仪表即可实现I-V曲线,I-t曲线,C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果v 电流测量精度≤0.1 fA,最小可测量电流≤20 fAv 最大电流测量量程≥0.1 A,最大输出功率≥2 Wv 电流测量精度10 fA时,电流表的最短采样时间间隔100 μsv I-V特性测试及C-V特性测试切换时,无须更改电路v 实现不同频率交流阻抗测量(C-V、C-f、C-t) 的测量,频率范围1 kHz-5 MHz,最小频率步进≤1 mHzv 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF(5 MHz)v 电容测量范围5 fF-1 nF,电压0至±25V,步进≤1 mVv 具有脉冲输出及采集模块,脉冲输出电压峰值10 Vv 脉冲采样最大采样率≥200 MSa/s,最小采样时间5 nsv 具有瞬态波形捕获模式v 具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
光波器件分析仪
v 这款 LCA 是测试高达 67 GHz 的电光元器件的理想解决方案。它同样适用于测试 40G/100GbE、400Gbit/s 和 1 Tbit/s 相干传输系统、光纤无线电(RoF)以及航空航天与国防(A&D)电光测试应用中的电光元器件v 绝对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.9 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 相对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.5 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 本底噪声:v 在 67 GHz 时为 < - 59 dB(W/A)(电光测量)v 在 67 GHz 时为 < - 55 dB(A/W)(光电测量)具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
采样示波器
v Keysight N1000A DCA-X 宽带宽示波器可以对 50 Mb/s 到 224 Gb/s 的高速数字设计执行精准测量。 您还可以为 N1000A DCA-X 主机选配插入式模块,满足您对带宽、过滤和灵敏度的需求。v DCA-X 平台由主机和各种模块组成,可以执行灵活的测试v DCA-X 系列分析仪的一致性和灵活性可确保高精度的测量v 支持当前的模块,以及已经停产的旧款光、电和 TDR 模块,避免您的投资过时v 测试带宽 > 110 GHz,抖动最小为 50 fs,噪声最低为 275 uVv 采样率高达 250 kSa/s,支持最多 16 个通道,实现高测试吞吐量v 主机可选配插入式模块组成定制测试系统,执行精密的光、电和/或 TDR/TDT/S 参数分析
光波测量系统
v Keysight 8164B 主机是用于光器件测试的一款基础平台,可以容纳一个是德科技可调谐激光源和最多 4 个紧凑型模块。 更新:用户现可通过 LAN 或 GPIB 接口进行远程编程v 1 个插槽用于安装可调谐激光源v 4 个插槽用于安装电源模块、回波损耗模块、紧凑型可调谐激光源或固定激光源v 内置应用软件:(无源元器件测试、稳定度、日志记录等功能)v 丰富的触发功能v 用于远程控制的 LAN 和 GPIB 接口
光调制分析仪
v 光调制分析仪支持多种先进调制方案,是 600 Gb/s 至 1.2 Tb/s 传输市场的理想选择v ADC分辨率:10位v 模拟带宽:70GHz(选项007);110GHz(选项011)v EVM噪声下限:在2.5 GHz频率偏移时<1.6%;频率偏移为10 GHz时为<2.9%v 最大可检测符号速率:140 Gbaud(选项007);220 Gbaud(选项011)v 最大记录长度:最大2 GSa。;200 MSa标准v 工作频率范围:直流至110 GHz(取决于范围选项)
高性能比特误码率测试仪
v 高性能比特误码率测试仪覆盖所有类型的 400 GbE 标准测试,并且支持 PAM4 和 NRZ 信号以及高达 64 Gbaud 的数据速率v M8040A 高性能 BERT 的跳变时间更短,固有抖动更低,能够提供数据速率高达 64 GBaud 的纯净 NRZ 和 PAM4 信号。 M8040A 的远程前端和 1.85 mm 短电缆使测试点可以尽量接近被测器件,最大限度降低有损通道造成的信号衰减v 2 至 64 Gbaud 的 PAM4 信号数据速率v 真正的实时 PAM4 误码检测能力,数据速率高达 58 Gbaudv 内置去加重、分析仪均衡和时钟恢复功能v 整合和校准过的抖动注入:RJ、PJ1、PJ2、SJ、BUJ 和时钟/2 抖动v 每个模块有两个码型发生器通道,用于仿真干扰源通道v 8/16/32/64 GT/s PCI Express® 交互式链路训练和 SKP OS 过滤v 可以通过算法生成 PRBS、QPRBS 码型,也可以使用保存在存储器中的码型或是通过码型序列发生器生成的码型v 用于 PAM4、Gray 编码、FEC 编码、预编码器和误码分布分析v 所有选件和模块均可升级v 提供真正的误码分析功能,能够提供准确且可重复的测量结果,从而优化您的器件的性能裕量
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高真空互联物理气相薄膜沉积系统
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Canon FPA3000 EX4步进式光刻机
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BA Gen4系列键合对准机
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SB6/8 Gen2 晶圆贴片机
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XBC300 Gen2 D2W/W2W
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XBS300临时胶合剂
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扇出型晶圆级热拆键合
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手动/半自动槽式/单片湿法工作台(1)
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