实验室及中试线解决方案服务商
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19842703026
半导体前道工艺设备
半导体封装设备
半导体分析测试设备
半导体光电测试仪表
真空互联系统
翻新光刻机
晶圆键合及解键合设备
湿法设备
有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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点胶机
点胶机
v QuantumTM系列是Nordson ASYMTEK公司最新推出的高性能大型点胶平台,是大尺寸基板、胶体及点胶工艺在包封与组装点胶应用中的理想选择v 多用途:Quantum系列点胶机有坚固的大型框架,轻松匹配需要较大尺寸基板或工件的应用。更大的点胶面积适用于双阀点胶、广泛的胶体类型以及点胶工艺和多种应用,而且Quantum系列还能灵活集成多种组装线配置。这款点胶系统可配置单阀或双阀和单轨或双轨,从而实现高产量v 点胶技术:Quantum系列点胶平台支持Nordson ASYMTEK公司的绝大多数喷射点胶头、点胶泵和点胶阀,包括DispenseJet®   DJ-9500和NexJet®
自动光学检查系统 (AOI)
自动光学检查系统 (AOI)
v 全自动AOI系统可获取目标表面高分辨率图像,并根据用户标准执行光学检测。例如,激光二极管的端面检查,镀膜的质量监控,表面检查,半导体芯片的顶部/底部/侧壁检查,以及晶片分拣v 对于所有的ficonTEC系统,模块化的方式使得为监测平台提供附加功能成为可能—自动托盘处理,不同的进料模式,测试功能(例如 LIV),芯片顶部/底部检查,以及实时标记等v 主要功能:芯片侧壁检查、晶片分拣、裂纹识别、Break-out 检测、裂纹扩展预测、粒子识别、灰尘和纤维识别、详细的组件/亚批次/批次跟踪、单独错误种类处理
回流焊炉
回流焊炉
v 应用领域:无助焊剂焊接;倒装芯片焊接;键合;Bump回流焊接;微电子封装;功率器件焊接;晶圆热处理;工艺研发;质量控制v 加热区域:4、6、8、12英寸v 腔体高度:40mm (选配80mm)v 视窗直径:60mmv 工艺气体控制:MFC控制,5nlm流量v 真空:10-3 hPa (高真空选配)v 工艺温度:400摄氏度(500摄氏度或650度选配)v 升温速度:>100 K/Minv 降温速度:>100 K/Minv 选配项目:FA甲酸模块;MFC工艺气路;EH腔体增高;H2氢气模块;TC多通过测温;VAC真空模块;MP隔膜泵,MPC化学防腐隔膜泵;RVP旋叶真空泵;WC冷水机
共晶炉
共晶炉
v 德国UNITEMP真空共晶炉、烧结炉,紧凑台式设计,可在氮气/甲酸等氛围操作,广泛用于激光、射频电路、功率器件等微电子光电子行业的晶粒贴装,以及金-硅合金,密集焊接和回流共晶v 主要型号及技术参数:Ø RSO-200:温度650摄氏度,加热区域:200mm x 170mmØ VSS-300:温度450摄氏度,加入区域:300mm x 300mmØVPO-650:温度650摄氏度,加热区域:300mm x 300mm
贴片机、手动/半自动微组装系统
贴片机、手动/半自动微组装系统
一、产品技术原理:1.设备的对位系统采用4K高清智能相机+变倍镜头+分光镜结构,可适应不同大小器件的贴装;2.电箱配有气压监测表和负压监测表,可实时监测机器运行时的气压与负压是否正常;3.X/Y/Z轴采用步进电机+高精度研磨丝杆结构,解析度1pm;4.设备后续可做改良升级,加装多种功能模块。二、设备基本参数:
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扫描电镜SEM
扫描电镜SEM
v FE-SEM获得的图像分辨率高,信息丰富,样品处理相对简单,并且它可以观察、测量并分析样品的细微结构,因此被广泛应用于纳米技术、半导体、电子器件、生命科学、材料等领域v 电子枪种类:冷场发射v 二次电子图象分辨率:0.6 nm@15kV;0.7nm@1kVv 放大倍数:20-2,000,000xv 加速电压:0.5-30kV
透射电镜TEM
透射电镜TEM
v 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能,是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜v TEM分辨率 (nm):0.14v 加速电压:10 ~ 120kVv 倍率(TEM):×10~1,500,000v 样品倾斜角:Tilt-X   ±70°(高倾斜样品杆)v 最多样品装填数:4
聚焦离子束系统FIB
聚焦离子束系统FIB
v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面,应用于:产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM相似,用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工,通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用:IC芯片电路修改,Cross-Section 截面分析,FIB透射电镜样品制备,材料鉴定v 液态金属离子源:分辨率3nm@30kv   120nm@1kvv 检测器:Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、aBSD(背散射探测器)
光学轮廓仪
光学轮廓仪
v 测量模式:PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程:≤10 mmv 横向分辨率:0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率:<0.01 nmv 台阶高度重复性:<0.75%   <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度:122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围:0.05% to 100%v 样品尺寸:350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ;249 mm H 自动样品台v 最大样品重量:45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台:300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦:249(350 mm 不带自动台)v 光源:专利双LED光源v 物镜:Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X,10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器:0.55X,0.75X,1X,1.5X, 2X auto-sensing modules
探针式轮廓仪/台阶仪
探针式轮廓仪/台阶仪
v 测量功能:二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景:可选放大倍率,1 to 4mm FOVv 探针压力:使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力:使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um   可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台:手动X-Y平移:100mm (4英寸)机动X-Y平移:150mm (6 英寸)v 样品旋转台:手动,360° 旋转    机动,360°旋转 v 扫描长度范围:55mm(2英寸)v 每次扫描数据点:最多可达120.000数据点v 最大样品厚度:50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸:200mm(8英寸)v 台阶高度重现性:<4A,1sigma在1um台阶上v 垂直范围:1mm(0.039英寸)v  垂直分辨率:最大1A (6.55um垂直范围下)
X射线衍射仪XRD
X射线衍射仪XRD
v 智能X射线衍射仪SmartLab系列,可以广泛应用于各种材料结构分析的各个领域。可以分析的材料包括:金属材料、无机材料、复合材料、有机材料、纳米材料、超导材料。可以分析的材料状态包括:粉末样品、块状样品、薄膜样品、微区微量样品v 主要应用:Ø 粉末样品的物相定性与定量分析Ø 计算结晶化度、晶粒大小Ø 确定晶系、晶粒大小与畸变Ø Rietveld定量分析Ø 薄膜样品分析,包括薄膜物相、多层膜厚度、表面粗糙度,电荷密度Ø In-Plane装置可以同时测量样品垂直方向的结构及样品深度方向的结构Ø 小角散射与纳米材料粒径分布Ø 微区样品的分析
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半导体参数测试仪
半导体参数测试仪
v 配备集成电脑及显示屏一体机箱,包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块,配合专用数据测量分析软件,无需外接其他仪表即可实现I-V曲线,I-t曲线,C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果v 电流测量精度≤0.1 fA,最小可测量电流≤20 fAv 最大电流测量量程≥0.1 A,最大输出功率≥2 Wv 电流测量精度10 fA时,电流表的最短采样时间间隔100 μsv I-V特性测试及C-V特性测试切换时,无须更改电路v 实现不同频率交流阻抗测量(C-V、C-f、C-t) 的测量,频率范围1 kHz-5 MHz,最小频率步进≤1 mHzv 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF(5 MHz)v 电容测量范围5 fF-1 nF,电压0至±25V,步进≤1 mVv 具有脉冲输出及采集模块,脉冲输出电压峰值10 Vv 脉冲采样最大采样率≥200 MSa/s,最小采样时间5 nsv 具有瞬态波形捕获模式v 具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
光波器件分析仪
光波器件分析仪
v 这款 LCA 是测试高达 67 GHz 的电光元器件的理想解决方案。它同样适用于测试 40G/100GbE、400Gbit/s 和 1 Tbit/s 相干传输系统、光纤无线电(RoF)以及航空航天与国防(A&D)电光测试应用中的电光元器件v 绝对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.9 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 相对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.5 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 本底噪声:v 在 67 GHz 时为 < - 59 dB(W/A)(电光测量)v 在 67 GHz 时为 < - 55 dB(A/W)(光电测量)具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
采样示波器
采样示波器
v Keysight N1000A DCA-X 宽带宽示波器可以对 50 Mb/s 到 224 Gb/s 的高速数字设计执行精准测量。 您还可以为 N1000A DCA-X 主机选配插入式模块,满足您对带宽、过滤和灵敏度的需求。v DCA-X 平台由主机和各种模块组成,可以执行灵活的测试v DCA-X 系列分析仪的一致性和灵活性可确保高精度的测量v 支持当前的模块,以及已经停产的旧款光、电和 TDR 模块,避免您的投资过时v 测试带宽 > 110 GHz,抖动最小为 50 fs,噪声最低为 275 uVv 采样率高达 250 kSa/s,支持最多 16 个通道,实现高测试吞吐量v 主机可选配插入式模块组成定制测试系统,执行精密的光、电和/或 TDR/TDT/S 参数分析
光波测量系统
光波测量系统
v Keysight 8164B 主机是用于光器件测试的一款基础平台,可以容纳一个是德科技可调谐激光源和最多 4 个紧凑型模块。 更新:用户现可通过 LAN 或 GPIB 接口进行远程编程v 1 个插槽用于安装可调谐激光源v 4 个插槽用于安装电源模块、回波损耗模块、紧凑型可调谐激光源或固定激光源v 内置应用软件:(无源元器件测试、稳定度、日志记录等功能)v 丰富的触发功能v 用于远程控制的 LAN 和 GPIB 接口
光调制分析仪
光调制分析仪
v 光调制分析仪支持多种先进调制方案,是 600 Gb/s 至 1.2 Tb/s 传输市场的理想选择v ADC分辨率:10位v 模拟带宽:70GHz(选项007);110GHz(选项011)v EVM噪声下限:在2.5 GHz频率偏移时<1.6%;频率偏移为10 GHz时为<2.9%v 最大可检测符号速率:140 Gbaud(选项007);220 Gbaud(选项011)v 最大记录长度:最大2 GSa。;200 MSa标准v 工作频率范围:直流至110 GHz(取决于范围选项)
高性能比特误码率测试仪
高性能比特误码率测试仪
v 高性能比特误码率测试仪覆盖所有类型的 400 GbE 标准测试,并且支持 PAM4 和 NRZ 信号以及高达 64 Gbaud 的数据速率v M8040A 高性能 BERT 的跳变时间更短,固有抖动更低,能够提供数据速率高达 64 GBaud 的纯净 NRZ 和 PAM4 信号。 M8040A 的远程前端和 1.85 mm 短电缆使测试点可以尽量接近被测器件,最大限度降低有损通道造成的信号衰减v 2 至 64 Gbaud 的 PAM4 信号数据速率v 真正的实时 PAM4 误码检测能力,数据速率高达 58 Gbaudv 内置去加重、分析仪均衡和时钟恢复功能v 整合和校准过的抖动注入:RJ、PJ1、PJ2、SJ、BUJ 和时钟/2 抖动v 每个模块有两个码型发生器通道,用于仿真干扰源通道v 8/16/32/64 GT/s PCI Express® 交互式链路训练和 SKP OS 过滤v 可以通过算法生成 PRBS、QPRBS 码型,也可以使用保存在存储器中的码型或是通过码型序列发生器生成的码型v 用于 PAM4、Gray 编码、FEC 编码、预编码器和误码分布分析v 所有选件和模块均可升级v 提供真正的误码分析功能,能够提供准确且可重复的测量结果,从而优化您的器件的性能裕量
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