v 适用基片尺寸:小于1cm小碎片及到8寸标准晶圆,非标准基片可定制载物盘v 自动滴胶功能v 支持去边、背洗、匀胶、显影、清洗、控温等功能模块个性化定制 v 转速范围:20-10000rpmv 转速分辨率:±1rpmv 加速度可调范围:20-50000rpm/sv 单步时长:3000sv 时间分辨率:0.1s
实验型显影机
v 全封闭式桌面显影机,主要用于半导体制造中晶片的显影工艺,设备配有一路显影和一路水、一路气吹功能,并且喷嘴位置可程控移动,实现自动显影和清洗作业v 支持wafer尺寸:碎片至200mm(可根据客户需求定制四管路或更大基片)v 单步工艺及多步工艺可选,内置100组可编辑程序v 转速分辨率:±1 RPMv 旋涂速度:20-3000rpm(空载)v 旋涂加速度:10-10,000rpm/sec(空载)v 工艺时间设定:0-3,000sec/step,时间设置精度: 0.1sec
充氮型程控烤胶机
v 控温范围:室温-300℃v 温度分辨率:0.1℃v 控温精度:±0.2℃v 温度均匀性:<±1%v 可存贮100组烤胶配方,每个配方可设置5个加热阶段v 电动顶针调节高度:0-30mmv 顶针高度分辨率:0.1mmv 顶针可使用底物直径大于40mm/120mm圆晶,可定制v 加热面板尺寸:220mm*220mm方形
等离子清洗&去胶机
v 用途:材料清洗、材料活化、材料刻蚀、材料涂覆v 80 kHz:功率 1000 或 3000 W13.56 MHz:功率 0 - 300 W;0 - 600 W;0 - 1000 W2.45 Hz:功率 0 - 1200 W所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型v 圆形不锈钢,带铰链的门(约φ400 mm,长 625 mm)矩形不锈钢,带铰链的门(约宽 400 mm x 高 400 mm x 深 625 mm)
v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面,应用于:产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM相似,用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工,通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用:IC芯片电路修改,Cross-Section 截面分析,FIB透射电镜样品制备,材料鉴定v 液态金属离子源:分辨率3nm@30kv 120nm@1kvv 检测器:Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、aBSD(背散射探测器)
光学轮廓仪
v 测量模式:PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程:≤10 mmv 横向分辨率:0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率:<0.01 nmv 台阶高度重复性:<0.75% <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度:122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围:0.05% to 100%v 样品尺寸:350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ;249 mm H 自动样品台v 最大样品重量:45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台:300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦:249(350 mm 不带自动台)v 光源:专利双LED光源v 物镜:Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X,10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器:0.55X,0.75X,1X,1.5X, 2X auto-sensing modules
探针式轮廓仪/台阶仪
v 测量功能:二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景:可选放大倍率,1 to 4mm FOVv 探针压力:使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力:使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um 可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台:手动X-Y平移:100mm (4英寸)机动X-Y平移:150mm (6 英寸)v 样品旋转台:手动,360° 旋转 机动,360°旋转 v 扫描长度范围:55mm(2英寸)v 每次扫描数据点:最多可达120.000数据点v 最大样品厚度:50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸:200mm(8英寸)v 台阶高度重现性:<4A,1sigma在1um台阶上v 垂直范围:1mm(0.039英寸)v 垂直分辨率:最大1A (6.55um垂直范围下)