v 键台工艺：金丝球焊和深腔模形焊v 超声系统：可通过软件在60kHz~100kHz间切换以适应不同的键台基板v 球焊金丝：17.5μm-50μmv 楔焊金/铝丝：17.5μm-75μmv 夹具尺寸直径80mm，满足尺寸大于φ1''或2cm×2cm的基片加工v 劈刀长度大于13mm，配备球焊与楔焊两种劈刀v 主机半自动工作模式，可实现键合流程的编程控制，显示屏显示，引线弧形包括标准矩形、倒转、缝合v 编程加热器：集成在设备内0-200℃

v 适用领域：大功率集成电路封装IGBT、电路制造、 材料研究、汽车电子等等，应用于常见的拉力和剪切力测试应用v 标配行程为150 x 150mm的XY操作平台v Auto-Range技术无需在测试前手动设置传感器量程v 根据不同的需求可搭配多种多样的测试模块，可支持最大剪切力值为1000KG的测试

v 适用领域：芯片贴装、芯片筛选、高精度倒装、MEMS封装、MOEMS封装、VCSEL器件组装、光电器件封装、超声工艺、热压超声工艺、RFID组装、传感器封装、共晶键合、点胶键合等，适用于研发、试产到规模生产v 标准配置芯片拾取系统可从12inch晶圆、华夫盘、黏胶盘等位置拾取芯片v XY贴装区域：700mm*500mm（自动，0.1μm分辨率）v XY晶圆台移动区域：305mm*305mm，支持2-12inch晶圆（自动，0.1μm分辨率）v Z移动：120mm（自动，0.1μm分辨率）v 吸片头旋转：±100°（自动，角度分辨率±0.02°）v 键合压力：标准15g-800g（可选15g-25000g）v 产能：2800片/小时v 贴装精度：2.5μm@3sigma

v 产品介绍：应用激光开封移除芯片塑封层，裸露绑定线和晶圆层v 激光功率：10W（20W/30W/50W可选）v 激光器寿命：≥100000hv 激光波长：1064nmv 激光视觉扫描范围：≤110*110mmv 最小线宽：≥0.035mmv 扫描速度：≤18000mm/sv 重复精度：±0.01mm

v 高性能无氧烘箱能够在氧气浓度低至500 ppm 的气氛中，加热高达 500℃ 的温度，并对材料进行热处理。非常适合各类退火，退应力，和各类抗氧化热处理v 含氧控制：500PPM以内v 温度范围：Room temp. +20~500℃v 控温精度：±1.0℃v 温度均匀性：±2.5%℃v 升温时间：RT~ 500℃≤60minv 容量：可定制

v 该系统是用于分离晶圆与载体（热拆键合）的FOWLP技术，通过释放热量将载体剥离v FOWLP优化热拆键合技术v 全自动脱胶v FOWLP晶圆翘曲控制和监测v FOWLP晶圆正面标记v 全自动翘曲矫正模式v 晶圆尺寸：300/330 mmv 温度控制：20~240℃ ±2℃v 装载和卸载：手动/全自动v 最大翘曲处理能力：输入翘曲：10 mm    矫正后的翘曲：<1 mmv 晶圆传输系统：三温无接触传输v ESD控制：带有自动反馈传感器的电离器

概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、靶基距具有腔外手动调节功能；5、系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；； 9、可用于标准镀膜产品小批量生产。互联系统技术描述真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。