实验室及中试线解决方案服务商
国家级高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业

19842703026
半导体前道工艺设备
半导体封装设备
半导体分析测试设备
半导体光电测试仪表
真空互联系统
翻新光刻机
晶圆键合及解键合设备
湿法设备
有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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有掩膜光刻机
有掩膜光刻机
v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻
无掩膜/激光直写光刻机
无掩膜/激光直写光刻机
v 光源:375 nm、385 nm、405 nm 激光器v 线宽:0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μmv 光刻效率:最快3000mm2/min@5μmv XY行程:55~205mmv 样品尺寸:最小3mm*3mm   最大8 inchv 应用领域:生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯芯片光刻
步进式Stepper光刻机
步进式Stepper光刻机
v 解像力:≤350nmv 投影倍率:1:5v 市场尺寸:20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch)v 光源:i-Line 365nmv 掩膜版尺寸:5inch/6inch(可选)v 晶圆尺寸:50mm(2inch)/75mm(3inch)/100mm(4inch)/150mm(6inch)/200mm(8inch)(可选)v 套刻精度:≤40nmv 设备尺寸:(W)1900*(D)2600*(H)2450mm
电子束光刻系统
电子束光刻系统
v 最小线宽≤8nm    光栅周期≤40nmv 拼接精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigmav 套刻精度:100μm写场下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma500μm写场下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigmav 束电流稳定性<0.2%/h   束位置稳定性<120nm/8hv 50KV加速电压下,写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调v 肖特基热场发射电子束源,最高加速电压≥50kv,束电流范围至少为50pA~40nA,最大束电流≥40nAv 图像发生器扫描频率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距为0.5nmv 通用样品架可承载散片,4inch以下的衬底,4inch专用晶圆专用样品架,6inch专用晶圆专用样品架,多样品专用样品架
纳米压印系统
纳米压印系统
v 兼容基底尺寸:直径≤100mmv 支持基底材料:硅片、玻璃、石英、塑料、金属等v 纳米压印技术:旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式v 压印精度:优于10nmv 结构深宽比:优于10:1v 残余层控制:可小于10nm   微米级TTV控制精度v 紫外固化光源:紫外LED(365nm)面光源,光强>300mW/cm2v 自动压印/自动脱模/自动工作模具复制/主动找平压印/模自动点胶:支持v 模具基底对位系统:手动对位(选配)v 上下片方式:手动上下片v 随机提供全套纳米压印工艺与材料,包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构、微透镜阵列、匀光片结构等工艺流程,帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平
喷涂胶机
喷涂胶机
v 在喷涂法中,喷嘴将要涂抹的溶液喷在晶圆上。经过优化后的晶圆上方喷嘴移动路径可以实现在衬底上均匀的涂层。喷涂所用的液体通常粘度极低,以确保形成细小的液滴v 喷涂法即使在凹凸图形上也能形成均匀涂层,因此它是这种结构的首选方法。喷涂法还能喷涂方形的衬底v 对起伏台阶几微米到600微米以上的三维微结构加工v 基板尺寸最大直径为200 mm,方形最大边长为 6inch
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键合机
键合机
v 键台工艺:金丝球焊和深腔模形焊v 超声系统:可通过软件在60kHz~100kHz间切换以适应不同的键台基板v 球焊金丝:17.5μm-50μmv 楔焊金/铝丝:17.5μm-75μmv 夹具尺寸直径80mm,满足尺寸大于φ1''或2cm×2cm的基片加工v 劈刀长度大于13mm,配备球焊与楔焊两种劈刀v 主机半自动工作模式,可实现键合流程的编程控制,显示屏显示,引线弧形包括标准矩形、倒转、缝合v 编程加热器:集成在设备内0-200℃
推拉力测试机
推拉力测试机
v 适用领域:大功率集成电路封装IGBT、电路制造、 材料研究、汽车电子等等,应用于常见的拉力和剪切力测试应用v 标配行程为150 x 150mm的XY操作平台v Auto-Range技术无需在测试前手动设置传感器量程v 根据不同的需求可搭配多种多样的测试模块,可支持最大剪切力值为1000KG的测试
贴片机
贴片机
v 适用领域:芯片贴装、芯片筛选、高精度倒装、MEMS封装、MOEMS封装、VCSEL器件组装、光电器件封装、超声工艺、热压超声工艺、RFID组装、传感器封装、共晶键合、点胶键合等,适用于研发、试产到规模生产v 标准配置芯片拾取系统可从12inch晶圆、华夫盘、黏胶盘等位置拾取芯片v XY贴装区域:700mm*500mm(自动,0.1μm分辨率)v XY晶圆台移动区域:305mm*305mm,支持2-12inch晶圆(自动,0.1μm分辨率)v Z移动:120mm(自动,0.1μm分辨率)v 吸片头旋转:±100°(自动,角度分辨率±0.02°)v 键合压力:标准15g-800g(可选15g-25000g)v 产能:2800片/小时v 贴装精度:2.5μm@3sigma
激光开封机
激光开封机
v 产品介绍:应用激光开封移除芯片塑封层,裸露绑定线和晶圆层v 激光功率:10W(20W/30W/50W可选)v 激光器寿命:≥100000hv 激光波长:1064nmv 激光视觉扫描范围:≤110*110mmv 最小线宽:≥0.035mmv 扫描速度:≤18000mm/sv 重复精度:±0.01mm
半导体烘箱
半导体烘箱
v 高性能无氧烘箱能够在氧气浓度低至500 ppm 的气氛中,加热高达 500℃ 的温度,并对材料进行热处理。非常适合各类退火,退应力,和各类抗氧化热处理v 含氧控制:500PPM以内v 温度范围:Room temp. +20~500℃v 控温精度:±1.0℃v 温度均匀性:±2.5%℃v 升温时间:RT~ 500℃≤60minv 容量:可定制
热拆键合机
热拆键合机
v 该系统是用于分离晶圆与载体(热拆键合)的FOWLP技术,通过释放热量将载体剥离v FOWLP优化热拆键合技术v 全自动脱胶v FOWLP晶圆翘曲控制和监测v FOWLP晶圆正面标记v 全自动翘曲矫正模式v 晶圆尺寸:300/330 mmv 温度控制:20~240℃ ±2℃v 装载和卸载:手动/全自动v 最大翘曲处理能力:输入翘曲:10 mm    矫正后的翘曲:<1 mmv 晶圆传输系统:三温无接触传输v ESD控制:带有自动反馈传感器的电离器
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扫描电镜SEM
扫描电镜SEM
v FE-SEM获得的图像分辨率高,信息丰富,样品处理相对简单,并且它可以观察、测量并分析样品的细微结构,因此被广泛应用于纳米技术、半导体、电子器件、生命科学、材料等领域v 电子枪种类:冷场发射v 二次电子图象分辨率:0.6 nm@15kV;0.7nm@1kVv 放大倍数:20-2,000,000xv 加速电压:0.5-30kV
透射电镜TEM
透射电镜TEM
v 配备了高灵敏度sCMOS相机、超广视野的蒙太奇系统以及光学显微镜图像的联动功能,是一款新型的高通量、高分辨率 的120kV透射电子显微镜v TEM分辨率 (nm):0.14v 加速电压:10 ~ 120kVv 倍率(TEM):×10~1,500,000v 样品倾斜角:Tilt-X   ±70°(高倾斜样品杆)v 最多样品装填数:4
聚焦离子束系统FIB
聚焦离子束系统FIB
v FIB是将离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后作用于样品表面,应用于:产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM相似,用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工,通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层v 芯片领域应用:IC芯片电路修改,Cross-Section 截面分析,FIB透射电镜样品制备,材料鉴定v 液态金属离子源:分辨率3nm@30kv   120nm@1kvv 检测器:Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、aBSD(背散射探测器)
光学轮廓仪
光学轮廓仪
v 测量模式:PSl, USl, VSl, 选配的 Filmv 最大扫描量程:≤10 mmv 横向分辨率:0.38 um minimum (Sparrow criterion)0.13 um (with AcuityXR)v 垂直分辨率:<0.01 nmv 台阶高度重复性:<0.75%   <0.125% 1 sigma repeatabilityv 最大扫描速度:122 um/sec (with laser reference)v 样品反射率范围:0.05% to 100%v 样品尺寸:350 mm * 304 mm x 304 mm (H x D * W) ;249 mm H 自动样品台v 最大样品重量:45 kg (77 kg without standard stage)v XY 品台:300 mm 自动样品台v Z 轴聚焦:249(350 mm 不带自动台)v 光源:专利双LED光源v 物镜:Parfocal: 2.5X, 5x, 10X, 20X, 50X,100X, 115XLWD: 1X, 2X, 5X,10XTTM: 2x, 5X, 10x, 20X: Bright Field: 10XSingle-objective adapter; Optional motorized five-position turretv 放大器:0.55X,0.75X,1X,1.5X, 2X auto-sensing modules
探针式轮廓仪/台阶仪
探针式轮廓仪/台阶仪
v 测量功能:二维表面轮廓测量 /可选三维测量v 样品视景:可选放大倍率,1 to 4mm FOVv 探针压力:使用LIS 3 传感器 1至15mgv 低作用力:使用N-Lite+低作用力传感器: 0.03至15mgv 探针曲率半径可选范围: 50nm至25 umv 高径比(HAR)针尖: 10um x 2um和200um x 20um   可按客户要求定制针尖v 样品X/Y载物台:手动X-Y平移:100mm (4英寸)机动X-Y平移:150mm (6 英寸)v 样品旋转台:手动,360° 旋转    机动,360°旋转 v 扫描长度范围:55mm(2英寸)v 每次扫描数据点:最多可达120.000数据点v 最大样品厚度:50mm(2英寸)v 最大晶圆尺寸:200mm(8英寸)v 台阶高度重现性:<4A,1sigma在1um台阶上v 垂直范围:1mm(0.039英寸)v  垂直分辨率:最大1A (6.55um垂直范围下)
X射线衍射仪XRD
X射线衍射仪XRD
v 智能X射线衍射仪SmartLab系列,可以广泛应用于各种材料结构分析的各个领域。可以分析的材料包括:金属材料、无机材料、复合材料、有机材料、纳米材料、超导材料。可以分析的材料状态包括:粉末样品、块状样品、薄膜样品、微区微量样品v 主要应用:Ø 粉末样品的物相定性与定量分析Ø 计算结晶化度、晶粒大小Ø 确定晶系、晶粒大小与畸变Ø Rietveld定量分析Ø 薄膜样品分析,包括薄膜物相、多层膜厚度、表面粗糙度,电荷密度Ø In-Plane装置可以同时测量样品垂直方向的结构及样品深度方向的结构Ø 小角散射与纳米材料粒径分布Ø 微区样品的分析
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半导体参数测试仪
半导体参数测试仪
v 配备集成电脑及显示屏一体机箱,包含高精度电流测量模块、电容测量模块、超快脉冲模块,配合专用数据测量分析软件,无需外接其他仪表即可实现I-V曲线,I-t曲线,C-V曲线及C-f曲线的测量并能在屏幕实时显示测量结果v 电流测量精度≤0.1 fA,最小可测量电流≤20 fAv 最大电流测量量程≥0.1 A,最大输出功率≥2 Wv 电流测量精度10 fA时,电流表的最短采样时间间隔100 μsv I-V特性测试及C-V特性测试切换时,无须更改电路v 实现不同频率交流阻抗测量(C-V、C-f、C-t) 的测量,频率范围1 kHz-5 MHz,最小频率步进≤1 mHzv 电容测量精度≤5 fF (1 MHz)、≤10 fF(5 MHz)v 电容测量范围5 fF-1 nF,电压0至±25V,步进≤1 mVv 具有脉冲输出及采集模块,脉冲输出电压峰值10 Vv 脉冲采样最大采样率≥200 MSa/s,最小采样时间5 nsv 具有瞬态波形捕获模式v 具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
光波器件分析仪
光波器件分析仪
v 这款 LCA 是测试高达 67 GHz 的电光元器件的理想解决方案。它同样适用于测试 40G/100GbE、400Gbit/s 和 1 Tbit/s 相干传输系统、光纤无线电(RoF)以及航空航天与国防(A&D)电光测试应用中的电光元器件v 绝对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.9 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 相对频率响应准确度:v 在 50 GHz 时为 < 0.5 dBe(典型值)v 在 67 GHz 时为 < 1.3 dBe(典型值)v 本底噪声:v 在 67 GHz 时为 < - 59 dB(W/A)(电光测量)v 在 67 GHz 时为 < - 55 dB(A/W)(光电测量)具有任意波形发生器,支持多电平脉冲波形,可编程分辨率10 ns
采样示波器
采样示波器
v Keysight N1000A DCA-X 宽带宽示波器可以对 50 Mb/s 到 224 Gb/s 的高速数字设计执行精准测量。 您还可以为 N1000A DCA-X 主机选配插入式模块,满足您对带宽、过滤和灵敏度的需求。v DCA-X 平台由主机和各种模块组成,可以执行灵活的测试v DCA-X 系列分析仪的一致性和灵活性可确保高精度的测量v 支持当前的模块,以及已经停产的旧款光、电和 TDR 模块,避免您的投资过时v 测试带宽 > 110 GHz,抖动最小为 50 fs,噪声最低为 275 uVv 采样率高达 250 kSa/s,支持最多 16 个通道,实现高测试吞吐量v 主机可选配插入式模块组成定制测试系统,执行精密的光、电和/或 TDR/TDT/S 参数分析
光波测量系统
光波测量系统
v Keysight 8164B 主机是用于光器件测试的一款基础平台,可以容纳一个是德科技可调谐激光源和最多 4 个紧凑型模块。 更新:用户现可通过 LAN 或 GPIB 接口进行远程编程v 1 个插槽用于安装可调谐激光源v 4 个插槽用于安装电源模块、回波损耗模块、紧凑型可调谐激光源或固定激光源v 内置应用软件:(无源元器件测试、稳定度、日志记录等功能)v 丰富的触发功能v 用于远程控制的 LAN 和 GPIB 接口
光调制分析仪
光调制分析仪
v 光调制分析仪支持多种先进调制方案,是 600 Gb/s 至 1.2 Tb/s 传输市场的理想选择v ADC分辨率:10位v 模拟带宽:70GHz(选项007);110GHz(选项011)v EVM噪声下限:在2.5 GHz频率偏移时<1.6%;频率偏移为10 GHz时为<2.9%v 最大可检测符号速率:140 Gbaud(选项007);220 Gbaud(选项011)v 最大记录长度:最大2 GSa。;200 MSa标准v 工作频率范围:直流至110 GHz(取决于范围选项)
高性能比特误码率测试仪
高性能比特误码率测试仪
v 高性能比特误码率测试仪覆盖所有类型的 400 GbE 标准测试,并且支持 PAM4 和 NRZ 信号以及高达 64 Gbaud 的数据速率v M8040A 高性能 BERT 的跳变时间更短,固有抖动更低,能够提供数据速率高达 64 GBaud 的纯净 NRZ 和 PAM4 信号。 M8040A 的远程前端和 1.85 mm 短电缆使测试点可以尽量接近被测器件,最大限度降低有损通道造成的信号衰减v 2 至 64 Gbaud 的 PAM4 信号数据速率v 真正的实时 PAM4 误码检测能力,数据速率高达 58 Gbaudv 内置去加重、分析仪均衡和时钟恢复功能v 整合和校准过的抖动注入:RJ、PJ1、PJ2、SJ、BUJ 和时钟/2 抖动v 每个模块有两个码型发生器通道,用于仿真干扰源通道v 8/16/32/64 GT/s PCI Express® 交互式链路训练和 SKP OS 过滤v 可以通过算法生成 PRBS、QPRBS 码型,也可以使用保存在存储器中的码型或是通过码型序列发生器生成的码型v 用于 PAM4、Gray 编码、FEC 编码、预编码器和误码分布分析v 所有选件和模块均可升级v 提供真正的误码分析功能,能够提供准确且可重复的测量结果,从而优化您的器件的性能裕量
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